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华羿微代理商 HYG052N06LS1D 单N沟道增强型MOSFET
发布日期:2024-12-21
特征: 60V/67A RDS(ON)= 5.5mΩ(typ.) @VGS= 10V RDS(ON)= 7.6mΩ(typ.) @VGS= 4.5V 100% 经过雪崩测试 可靠且坚固 无卤素设备可供选择 应用: DC/DC 的电源管理 切换应用程序 详情请咨询我司业务15986786916 华羿微typN沟道雪崩发布于:广东省...
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